MOSFET: princippet om drift og omfang

Undersøgelsen af ​​egenskaberne af et materiale som f.ekshalvleder, tilladt at lave revolutionerende opdagelser. Over tid har der været teknologier, der gør det muligt i industriel skala at fremstille dioder, en MOS transistor, en tyristor og andre elementer. De erstattede med succes elektroniske lamper og fik lov til at realisere de mest dristige ideer. Halvlederelementer anvendes på alle områder af vores liv. De hjælper os med at behandle store mængder information, computere, båndoptagere, tv-apparater mv. Produceres på deres grundlag.

Siden opfindelsen af ​​den første transistor, og dettevar i 1948, det har været lang tid. Der var sorter af dette element: et punktlignende germanium-, silicium-, felt- eller MOS-transistor. Alle af dem er meget udbredt i radio elektronisk udstyr. Undersøgelsen af ​​halvlederernes egenskaber stopper ikke i vores tid.

Disse undersøgelser førte til udseendet af en sådansom en MOSFET. Princippet for dets drift er baseret på det faktum, at under ledningen af ​​det elektriske felt (deraf et andet navn-feltfelt) varierer ledningsevnen af ​​halvlederens nærfladelag på grænsen med dielektrinet. Denne ejendom bruges i elektroniske kredsløb til forskellige formål. MOSFET har en sådan struktur, der gør det muligt at reducere modstanden mellem drænet og kilden under styresignalets virkning til næsten nul.

Dens egenskaber er forskellige fra den bipolære "konkurrent". De bestemmer omfanget af dets anvendelse.

• Høj ydeevne leveres afminiaturisering af krystallen selv og dens unikke egenskaber. Dette skyldes visse vanskeligheder i industriproduktionen. På nuværende tidspunkt fremstilles krystaller med en port på 0,06 um.
• En lille forbigående kapacitans gør det muligt for disse enheder at fungere i højfrekvente kredsløb. For eksempel anvendes LSI med deres brug med succes i mobilkommunikation.
• Næsten nul modstand, som harMOSFET i åben tilstand, giver dig mulighed for at bruge det som en elektronisk nøgle. De kan arbejde i ordninger til generering af højfrekvente signaler eller til shunting-elementer som operationelle forstærkere.
• Kraftfulde instrumenter af denne art anvendes med succes i strømmoduler og kan indgå i induktionskredsløb. Et godt eksempel på deres brug kan være en frekvensomformer.

Ved design og arbejde med sådanne elementerdet er nødvendigt at tage hensyn til nogle funktioner. MOSFET'er er følsomme over for omvendt overspænding og kan nemt mislykkes. I kredsløb med induktans anvendes hurtigtvirkende Schottky-dioder almindeligvis til at udjævne den omvendte spændingsimpuls, der opstår ved omskiftning.

Udsigterne for brugen af ​​disse enheder er tilstrækkeligestor. Forbedring af teknologien ved deres fremstilling går langs krydsreduktionens vej (skalering af lukkeren). Efterhånden er der enheder, som kan styre mere og mere kraftfulde elektriske motorer.